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SIC MOS

SiC MOS 碳化硅MOSFET
简介：第三代宽禁带半导体功率器件，高压高频功率开关管。
核心特点：耐压高、开关损耗低，导热性能优异，可提升电源效率、缩小散热体积。
维安半导体产品优势：第二代平面栅SiC MOS，比导通电阻低，栅极耐压范围宽，可靠性测试完善。
典型应用：新能源汽车OBC、光伏逆变器、储能变流器、工业高压电源。

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