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SiC MOS

SiC MOS 碳化硅MOSFET
简介：第三代半导体功率开关管，以碳化硅（SiC）材料制作的MOS管。
核心特点：对比传统硅MOS、IGBT，耐压更高、开关损耗大幅降低、耐高温能力强，可以提升电源转换效率，减小设备体积、降低散热压力。
典型应用：新能源汽车主驱、储能变流器、高压充电桩、大功率光伏逆变器、高压工业电源。

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