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SIC MOS

SiC MOS 碳化硅MOSFET
简介：第三代宽禁带半导体功率器件，高压高频功率开关管。
核心特点：耐压高、开关损耗低，导热性能好，提升电源效率，减小散热体积。
锴威特产品优势：自研SiC功率器件，导通电阻低，耐高温，适配高频大功率电源设计。
典型应用：光伏逆变器、储能变流器、高压工业电源、充电桩功率单元。

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